Физические основы наноинженерии; МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2011

Путь любого научного направления имеет развилку: либо в небытие за ненадобностью (возможно временной из-за непонятности), либо в «промышленную разработку» и «конец романтизма». Вот эта книга показывает, что такое «промышленная разработка» темы – официальный конспект лекций. Здорово! Наконец-то! Оглавление радует и впе6чатляет. Всё о чём мечтали. Вероятно, очень хорошая книга для нашего времени. А то мужики-то не знают, что при уменьшении размеров элементов до «нано» начинаются сказываться квантовые размерные эффекты – дискретизация спектра разрешённых уровней (являющихся решениями задачи стационарного уравнения Эрвина Шрёдингера на собственные значения для прямоугольной потенциальной ямы), квантовая статистика Ферми–Дирака не вырождается в классическую статистику Больцмана. Поэтому, например, уже нельзя для транзисторов использовать модель Эберса–Молла. Для наноэлементов необходимы другие расчётные формулы. Многие разработчики САПР этого просто не знают. Поэтому смело прогнозируют топологические нормы для элементов СБИС (точнее для длины затвора в КМОП транзисторах) не только в 45-28 нм, но и в 7-5 нм. Что является бессмыслицей с точки зрения физики. Но физику они игнорируют. Может быть такие книги отучат их от этой легкости бытия.