Модуль памяти DDR4 8GB Kingston 2666MHz, ECC Unbuffered, 1Rx8 CL19 KSM26ES8/8HD

Kingston KSM26ES8/8HD - это модуль памяти DDR4-2666 CL19 SDRAM (Synchronous DRAM), 1Rx8, ECC, объемом 1 Гб x 72 бит (8 Гб), построенный на девяти компонентах FBGA объемом 1 Гб x 8 бит. SPD запрограммирована на стандартный JEDEC тайминг задержки DDR4-2666 19-19-19 при напряжении 1,2 В. В каждом 288-контактном модуле DIMM используются золотые контактные пальцы. Электрические и механические характеристики приведены ниже:

Характеристики

• Источник питания: VDD = 1,2 В, типовое.
• VDDQ = 1,2 В.
• VPP = 2,5 В.
• VDDSPD = 2,2 3,6 В.
• Номинальное и динамическое замыкание на корпус (ODT) для сигналов данных, строба и маски.
• Автообновление с низким энергопотреблением (LPASR).
• Инверсия шины данных (DBI) для шины данных.
• Генерация и калибровка напряжения VREFDQ на кристалле.
• Одноранговая.
• Встроенная последовательная память I2 с функцией обнаружения присутствия (SPD) EEPROM.
• Датчик температуры со встроенным SPD.
• 16 внутренних банков; 4 группы по 4 банка в каждой.
• Фиксированная длительность серии (BC) - 4 и длительность серии (BL) - 8 с помощью набора регистров режима (MRS).
• Возможность выбора BC4 или BL8 на лету (OTF).
• Топология Fly-by.
• Прерывистая шина команд управления и адреса.
• Печатная плата: высота 1,23" (31,25 мм).
• Соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов.